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Normalmente, la tecnología de fibra óptica es empleada para trasportar datos desde el proveedor de acceso a redes a sus clientes. En esta oportunidad, IBM ha incorporado la fibra óptica en cables usados internamente en la computadora.

El gigante azul está abocado a un proyecto científico donde mediante la denominada fibra optoeléctrica puede trasportar datos con una velocidad hasta 100 veces mayor internamente en un microprocesador que lo que ha sido el caso con los actuales microprocesadores basados en electricidad.

La tecnología combina la actual tecnología de silicio con infinitesimales cables de luz que trasfieran los datos con una velocidad que alcanza un Tb por segundo.

Los cables son tan pequeños que es posible agrupar dos mil de ellos en un milímetro cuadrado.

Aparte de la elevada velocidad de trasferencia, los cables de fibra óptica tienen la ventaja de, al contrario que los cables eléctricos, no generan calor. Por lo tanto, la tecnología también puede ser usada para eliminar la problemática que ocasionan los ventiladores en las computadoras actuales.
(Fuente: DiarioTi.com)

IBM anunció hoy la disponibilidad de su cuarta generación de la tecnología de fundición de silicio germanio, de nombre 8HP - con más de 2X desempeño de la generación anterior. El nuevo 130 nanómetros (nm) de silicio germanio (SiGe) bipolar semiconductores complementarios de óxido de metal (BiCMOS) fundición de la tecnología pueden reducir el costo de los productos móviles de consumo, antes de alto ancho de banda de comunicaciones inalámbricas, y permitirá ayudar a las nuevas aplicaciones innovadoras como la evitación de colisión de automóvil Radar.
Junto con 8HP, IBM está ofreciendo una menor variación de los costos (8WL) destinados específicamente a aplicaciones inalámbricas que permitan mayor duración de la batería y una mayor funcionalidad en los teléfonos celulares, a fin de ayudar a la proliferación de redes inalámbricas de área local y de posicionamiento global por satélite (GPS) de la tecnología.

"El silicio germanio tecnología influye cada vez más sobre la próxima generación de dispositivos y aplicaciones", dijo Bernie Meyerson, Jefe de Tecnología para el Grupo de Sistemas y Tecnología de IBM. "IBM introdujo la tecnología en 1989 para permitir a los diseñadores de chip para aumentar el rendimiento del equipo. Largo de los años, SiGe revolucionado la industria inalámbrica, proporcionando un alto volumen basados en la tecnología de silicio. La cuarta generación de SiGe seguirá para permitir la conectividad inalámbrica en un contexto cada vez más global Escala ".

IBM fue la primera fundición en el mundo en ofrecer la tecnología SiGe BiCMOS y desde 1995, ha enviado cientos de millones de dispositivos de SiGe. CMOS chips son la base de aplicaciones de la computación digital, en tanto que el silicio germanio (SiGe) BiCMOS chips de proporcionar una mayor frecuencia de radio comunicaciones analógicas y funciones además de las capacidades básicas de computación digital.

IBM la nueva tecnología de 130nm SiGe BiCMOS la solicitud de productos incluye:

* Nuevos sistemas de seguridad para automóviles, incluyendo el radar en la banda de 24 GHz para blindside detección y de 77 GHz para la colisión de alerta o avanzado control de crucero.
* 60 GHz chips Wi-Fi, para la próxima generación inalámbrica de redes de área personal y las redes de columna vertebral.
* Software radioeléctrico para teléfonos celulares que convierten las señales de la antena directamente en un formato digital. Un solo chip puede ser aplicado a través de múltiples y diversas normas mundiales de las redes móviles para transmitir voz, datos y señales de vídeo.
* Alta velocidad A / DyD / A convertidores para la adquisición de datos, directamente a los receptores de radio base, la señal de síntesis, y más.

"Tektronix ha sido un socio de primera vía de acceso SiGe con IBM durante casi diez años, y fue uno de los primeros adoptadores de SiGe para sus productos. La inclusión de SiGe 5HP y 7HP Tektronix la tecnología en los productos ha permitido a una cartera de clase mundial, la adjudicación Ganador de los productos ", dijo Dave Brown, Vicepresidente de Ingeniería Central, Tektronix. "Nuestra relación con IBM ha tenido éxito debido a la consistente calidad de sus modelos de la tecnología, los procesos y la documentación, así como la calidad de las personas con las que trabajamos."

A 130 nanómetros (o 130 billionths de un metro), de IBM SiGe BiCMOS nueva tecnología ofrece un mayor rendimiento, menor potencia y un mayor nivel de integración actual de 180nm SiGe ofertas. La tecnología mantiene la compatibilidad con IBM circuito integrado de aplicación específica (ASIC), la tecnología de plataforma, que permite a los clientes de fundición puerto una amplia gama de bloques circuito de la propiedad intelectual y el nivel de células biblioteca elementos. La fundición de 130nm plataforma también incluye una tecnología CMOS de RF opción, dando IBM fundición clientes una amplia gama de opciones de tecnologías de RF y aplicaciones de señal mixta.

"Sierra Monolithics ha seleccionado la tecnología de IBM SiGe8HP para aplicaciones exigentes como altamente integrada de ultra-alta velocidad, componentes de fibra óptica, convertidores de datos de alto rendimiento y 60GHz transceptores de banda ancha inalámbrica", dijo Charles Harper, Presidente, Sierra Monolithics. "IBM lidera la industria en la tecnología SiGe que permite a nuestros diseñadores para llegar al mercado primero con productos de rendimiento sin precedentes. Estamos muy entusiasmados con el nuevo rendimiento de los regímenes de aplicación y espacios que podemos ir después con esta nueva generación."

Técnicas adicionales cabe citar los siguientes:

* 130nm litografía basada SiGe BiCMOS
* Avanzada SiGe NPNs, emisor width = 120nm, Ft = 200 GHz (8HP), Ft = 100 GHz (8WL)
* 130nm CMOS FETs, 1,5 / 2.5v
* Cableado de cobre mundial de los niveles de espesor de aluminio + de nivel superior de metal
* Suite de Passives-Resistencias, Varactors, MOS y MIM Condensadores, Alto Q Inductancias
* Proceso de Diseño Kits con precisión los modelos de equipos de RF


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